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            關于PARKER壓力傳感器的七大噪聲怎么解決

            2024-6-18 閱讀(339)

              電路設計是傳感器性能是否*的關鍵因素,由于傳感器輸出端都是很微小的信號,如果因為噪聲導致有用的信號被淹

            沒,那就得不償失了,所以加強傳感器電路的抗干擾設計尤為重要。在這之前,我們必須了解派克傳感器電路噪聲的來源,以便找

            出更好的方法來降低噪聲。

              總的來說,PARKER傳感器電路噪聲主要有一下七種:

              1、低頻噪聲

              低頻噪聲主要是由于內部的導電微粒不連續(xù)造成的。特別是碳膜電阻,其碳質材料內部存在許多微小顆粒,顆粒之間是不

            連續(xù)的,在電流流過時,會使電阻的導電率發(fā)生變化引起電流的變化,產生類似接觸不良的閃爆電弧。另外,晶體管也可能產

            生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲,其產生機理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近,也與晶體管的摻雜程度有關。

              2、半導體器件產生的散粒噪聲

              由于半導體PN結兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變,從而顯現(xiàn)出電容效應。當外加正向電壓升高

            時,N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運動,相當于對電容充電。當正向電壓減小時,它又使電子和空穴遠離耗盡區(qū),相當于電

            容放電。當外加反向電壓時,耗盡區(qū)的變化相反。當電流流經(jīng)勢壘區(qū)時,這種變化會引起流過勢壘區(qū)的電流產生微小波動,從

            而產生電流噪聲。其產生噪聲的大小與溫度、頻帶寬度△f成正比。

              3、高頻熱噪聲

              高頻熱噪聲是由于導電體內部電子的無規(guī)則運動產生的。溫度越高,電子運動就越激烈。導體內部電子的無規(guī)則運動會在

            其內部形成很多微小的電流波動,因其是無序運動,故它的平均總電流為零,但當它作為一個元件(或作為電路的一部分)被接入

            放大電路后,其內部的電流就會被放大成為噪聲源,特別是對工作在高頻頻段內的電路高頻熱噪聲影響尤甚。

              通常在工頻內,電路的熱噪聲與通頻帶成正比,通頻帶越寬,電路熱噪聲的影響就越大。以一個1kΩ的電阻為例,如果電

            路的通頻帶為1MHz,則呈現(xiàn)在電阻兩端的開路電壓噪聲有效值為4μV(設溫度為室溫T=290K)??雌饋碓肼暤碾妱觿莶⒉淮螅?/span>

            但假設將其接入一個增益為106倍的放大電路時,其輸出噪聲可達4V,這時對電路的干擾就很大了。

              4、電路板上的電磁元件的干擾

              許多電路板上都有繼電器、線圈等電磁元件,在電流通過時其線圈的電感和外殼的分布電容向周圍輻射能量,其能量會對

            周圍的電路產生干擾。像繼電器等元件其反復工作,通斷電時會產生瞬間的反向高壓,形成瞬時浪涌電流,這種瞬間的高壓對

            電路將產生極大的沖擊,從而嚴重干擾電路的正常工作。

              5、晶體管的噪聲

              晶體管的噪聲主要有熱噪聲、散粒噪聲、閃爍噪聲。

              熱噪聲是由于載流子不規(guī)則的熱運動通過BJT內3個區(qū)的體電阻及相應的引線電阻時而產生。其中rbb所產生的噪聲是主要

            的。

              通常所說的BJT中的電流,只是一個平均值。實際上通過發(fā)射結注入到基區(qū)的載流子數(shù)目,在各個瞬時都不相同,因而發(fā)射

            極電流或集電極電流都有無規(guī)則的波動,會產生散粒噪聲。由于半導體材料及制造工藝水平使得晶體管表面清潔處理不好而引

            起的噪聲稱為閃爍噪聲。它與半導體表面少數(shù)載流子的復合有關,表現(xiàn)為發(fā)射極電流的起伏,其電流噪聲譜密度與頻率近似成

            反比,又稱1/f噪聲。它主要在低頻(kHz以下)范圍起主要作用。

              6、電阻器的噪聲

              電阻的干擾來自于電阻中的電感、電容效應和電阻本身的熱噪聲。例如一個阻值為R的實芯電阻,可等效為電阻R、寄生電

            容C、寄生電感L的串并聯(lián)。一般來說,寄生電容為0.1~0.5pF,寄生電感為5~8nH。在頻率高于1MHz時,這些寄生電感電容

            就不可忽視了。

              各類電阻都會產生熱噪聲,一個阻值為R的電阻(或BJT的體電阻、FET的溝道電阻)未接入電路時,在頻帶寬度B內所產生的

            熱噪聲電壓為:熱噪聲電壓本身是一個非周期變化的時間函數(shù),因此,它的頻率范圍是很寬廣的。所以寬頻帶放大電路受噪聲

            的影響比窄頻帶大。

              7、另外,電阻還會產生接觸噪聲,其接觸噪聲電壓為式中:I為流過電阻的電流均方值;f為中心頻率;k是與材料的幾何形狀有關的常數(shù)。由于Vc在低頻段起重要的作用,所以它是

            低頻傳感器電路的主要噪聲源。

              8、集成電路的噪聲

              集成電路的噪聲干擾一般有兩種:一種是輻射式,一種是傳導式。這些噪聲尖刺對于接在同一交流電網(wǎng)上的其他電子設備

            會產生較大影響。噪聲頻譜擴展至100MHz以上。在實驗室中,可以用高頻示波器(100MHz以上)觀察一般單片機系統(tǒng)板上某個

            集成電路電源與地引腳之間的波形,會看到噪聲尖刺峰-峰值可達數(shù)百毫伏甚至伏級。



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