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            江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司
            中級(jí)會(huì)員 | 第4年
            電容觸摸傳感器取代機(jī)械開(kāi)關(guān)2023/07/14
            傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)應(yīng)用較為廣泛,其在靈敏度與觸覺(jué)反饋等領(lǐng)域有著良好的表現(xiàn)。但是隨著智能化時(shí)代的來(lái)臨,人們對(duì)這些參數(shù)的需求也在逐漸提升,因此利用電容觸摸傳感器來(lái)取代機(jī)械開(kāi)關(guān),就成為了一個(gè)不錯(cuò)的選擇。電容觸摸傳感器可以不需要任何外部元件或材料,能夠憑借標(biāo)準(zhǔn)兩層或四層PCB上的走線(trace)或柔性電路來(lái)滿足工作需求。不受外界環(huán)境影響,在任何工況下都能夠保持靈敏水平是對(duì)傳感器的一大要求和考驗(yàn)。因?yàn)橛∷㈦娐冯娙輦鞲衅魅菀滓驗(yàn)闇貪穸茸兓l(fā)生漂移,這時(shí)候漂移補(bǔ)償功能就十分必要了。PCB還可能受到寄生電容的影響
            igbt模塊功能有哪些?2023/06/15
            一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展,其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于變頻調(diào)速外,60
            直流支撐電容器(Dc_Link)應(yīng)用更“安全”2023/04/11
            近十年來(lái)越來(lái)越多的行業(yè),用戶選擇金屬化薄膜電容器解決方案代替鋁電解電容器解決方案,有鑒于用戶端越來(lái)越注重于電容器的應(yīng)用“安全”。新能源汽車電子行業(yè),純電動(dòng)汽車電機(jī)控制器上電容器的應(yīng)用;新能源行業(yè),風(fēng)電變流器、光伏逆變器的電容器的應(yīng)用;節(jié)能行業(yè),高壓變頻器等電容器的應(yīng)用;電源行業(yè),中頻感應(yīng)加熱設(shè)備、開(kāi)關(guān)電源等電容器的應(yīng)用;電能質(zhì)量行業(yè),電力(SVG)電子、有源電力濾波器(APF)等產(chǎn)業(yè)鏈上電容器的應(yīng)用;機(jī)車行業(yè),輕軌、高鐵、地鐵、有軌電車等電容器的應(yīng)用;而在這些個(gè)行業(yè)有序替代的應(yīng)用場(chǎng)景內(nèi),直流支撐
            如何用萬(wàn)用表判斷晶閘管電極?2022/11/02
            傳統(tǒng)的晶閘管本質(zhì)上是直流控制裝置。為了控制交流負(fù)載,兩個(gè)晶閘管必須并聯(lián)反向極性,使每個(gè)晶閘管能控制一個(gè)半波。晶閘管晶閘管是在普通晶閘管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的,它不僅可以并聯(lián)取代兩個(gè)反極性晶閘管,而且只需要一個(gè)觸發(fā)電路,是目前理想的交流開(kāi)關(guān)器件。它的英文名字是triac意思是三端雙向交流開(kāi)關(guān)。晶閘管是一種功率集成裝置,由七個(gè)晶體管和多個(gè)電阻組成,雖然從形式上來(lái)說(shuō)它可以看作是兩個(gè)傳統(tǒng)晶閘管的組合。低功率晶閘管用塑料包裝,有些帶散熱片,如圖1所示。典型產(chǎn)品有bcmlam(1a/600v)、bcm3am(3
            IGBT為什么被稱為電力電子行業(yè)的“CPU”2022/10/18
            IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),又稱為絕緣閘極雙極性電晶體。IGBT歸類在功率半導(dǎo)體元件的電晶體領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元件(電晶體領(lǐng)域)除了IGBT之外,還有MOSFET、BIPOLAR等,這些都能用來(lái)作為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。IGBT是一種適合高電壓、大電流應(yīng)用的理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V,額定電流范圍為5A至1000A,IGBT廣泛用于工業(yè)應(yīng)用(例如,逆變器系統(tǒng)和不間斷電源(UPS))、消費(fèi)類應(yīng)用(例如,空調(diào)和電磁爐),以及車載應(yīng)用(例
            功率MOSFET技術(shù)資料2022/09/29
            什么是功率MOSFET?我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān),但是,我們只能對(duì)其進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極管作為開(kāi)關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過(guò)或屏蔽一個(gè)信號(hào)。對(duì)于諸如“流控制”或可編程開(kāi)關(guān)之類的應(yīng)用,我們需要一種三端器件和雙極型三極管。我們都聽(tīng)說(shuō)過(guò)Bardeen&Brattain,是他們偶然之間發(fā)明了三極管,就像許多其它偉大的發(fā)現(xiàn)一樣。結(jié)構(gòu)上,它由兩個(gè)背靠背的結(jié)實(shí)現(xiàn)(這不是一筆大交易,早在Bardeen之前,我們可能就是采用相同的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了共陰極),但是,在功能
            車規(guī)MCU芯片市場(chǎng)高需求持續(xù),國(guó)內(nèi)廠商蓄勢(shì)發(fā)展2022/09/13
            核心觀點(diǎn):從汽車行業(yè)背景看,新能源汽車銷量高增,汽車半導(dǎo)體景氣度持續(xù):汽車“三化”進(jìn)程不斷加速,各類汽車半導(dǎo)體需求量均有不同程度地提高,車規(guī)級(jí)MCU是一類具有廣泛運(yùn)用場(chǎng)景的車載芯片,車規(guī)級(jí)MCU市場(chǎng)前景廣闊。從短期重大事件看:車規(guī)級(jí)MCU正是本輪“缺芯”事件的“主角”之一,多重因素促成了一次嚴(yán)重的汽車產(chǎn)業(yè)鏈“缺芯”危機(jī),這導(dǎo)致了汽車生產(chǎn)遭遇巨大困難,現(xiàn)階段車規(guī)級(jí)MCU仍是眾多汽車芯片中尤為緊缺的種類之一。從中長(zhǎng)期發(fā)展趨勢(shì)看:疫情終將過(guò)去,發(fā)展大勢(shì)不可阻擋。汽車電子電氣(E/E)架構(gòu)正在發(fā)生變化,
            上半年工商業(yè)光伏大爆發(fā)!浙江、江蘇、山東位列前三,占比高達(dá)55%!2022/09/02
            7月29日,國(guó)家能源局發(fā)布《2022年上半年光伏發(fā)電建設(shè)運(yùn)行情況》,今年上半年總裝機(jī)30.88GW,戶用8.91GW、工商業(yè)10.74GW、地面11.22GW,呈現(xiàn)三分天下的格局!上半年新增并網(wǎng)容量(單位:萬(wàn)千瓦)分布式1、山東341.32、河南307.83、河北274.5工商業(yè)1、浙江268.82、江蘇171.63、山東149.6戶用1、河南232.32、河北229.13、山東191.72022年上半年光伏發(fā)電建設(shè)運(yùn)行情況單位:萬(wàn)千瓦省(區(qū)、市)2022年上半年新增并網(wǎng)容量截至2022年6月底
            IGBT7的dv/dt可控性2022/08/31
            典型脈沖寬度調(diào)制(PWM)電壓信號(hào)驅(qū)動(dòng)的電機(jī),逆變器輸出脈沖電壓變化率為dv/dt,通過(guò)連接電纜加載到負(fù)載電機(jī)。脈沖電壓的峰值等于逆變器直流母線電壓VDC。電機(jī)端的峰值電壓高于逆變器的輸出電壓,可能會(huì)導(dǎo)致電機(jī)損壞。電機(jī)側(cè)電壓峰值的實(shí)際幅值受以下參數(shù)影響。電纜和電機(jī)的阻抗電纜長(zhǎng)度直流母線變化率PWM脈沖類型一般由PWM控制的電壓源逆變器(VSI)通過(guò)電纜連到電機(jī),將在電機(jī)端產(chǎn)生(部分)電壓反射,其原因是電纜和電機(jī)阻抗不匹配。從電機(jī)側(cè)反射到逆變器側(cè)的電壓又會(huì)反射到電機(jī)側(cè),兩個(gè)電壓疊加,受信號(hào)傳遞時(shí)間
            二極管的損耗與波形系數(shù)——看似簡(jiǎn)單的整流電路詳解2022/08/23
            二極管的損耗與波形系數(shù)整流電路AC/DC變換應(yīng)用非常廣泛,比DC/AC逆變器功率范圍更廣,數(shù)量更多。為了降低諧波電流,有源PFC應(yīng)用越來(lái)越廣泛,但二極管整流在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中還是主流的方案,而且功率范圍很廣,所以了解二極管整流工程設(shè)計(jì)非常重要。整流電路是電力電子課程的基礎(chǔ)內(nèi)容,占篇幅也很大,但是在書(shū)本上,工程上的重要基礎(chǔ)問(wèn)題沒(méi)有細(xì)講或沒(méi)有涉及,尤其重要的整流電容濾波負(fù)載往往被忽略了,以至于使得整流電路設(shè)計(jì)在中小功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)中也沒(méi)有得到足夠重視,直接影響系統(tǒng)成本和可靠性。而大功率整流,譬如新能源電解氫,
            讓直流支撐電容器(Dc_Link)應(yīng)用更“安全”2022/08/16
            近十年來(lái)越來(lái)越多的行業(yè),用戶選擇金屬化薄膜電容器解決方案代替鋁電解電容器解決方案,有鑒于用戶端越來(lái)越注重于電容器的應(yīng)用“安全”。新能源汽車電子行業(yè),純電動(dòng)汽車電機(jī)控制器上電容器的應(yīng)用;新能源行業(yè),風(fēng)電變流器、光伏逆變器的電容器的應(yīng)用;節(jié)能行業(yè),高壓變頻器等電容器的應(yīng)用;電源行業(yè),中頻感應(yīng)加熱設(shè)備、開(kāi)關(guān)電源等電容器的應(yīng)用;電能質(zhì)量行業(yè),電力(SVG)電子、有源電力濾波器(APF)等產(chǎn)業(yè)鏈上電容器的應(yīng)用;機(jī)車行業(yè),輕軌、高鐵、地鐵、有軌電車等電容器的應(yīng)用;而在這些個(gè)行業(yè)有序替代的應(yīng)用場(chǎng)景內(nèi),直流支撐
            一文帶你了解晶閘管2022/07/25
            在單相半波可控整流一篇中,提到了晶閘管,就是利用晶閘管替代了二極管,讓直流電壓變得可調(diào)。直流電壓從不可調(diào)變得可調(diào),豐富了現(xiàn)實(shí)應(yīng)用,也屬于技術(shù)上的一次進(jìn)步。晶閘管因?yàn)榭煽兀直环Q為可控硅,它由四層半導(dǎo)體疊壓而成,分別為P–N–P–N,形成三個(gè)PN結(jié),共有三個(gè)電極,分別為陽(yáng)極(a)、陰極(k)和門極(g)。晶閘管可以分好多種,使用較普遍的還是普通晶閘管,其他晶閘管,后繼在做介紹,本篇就簡(jiǎn)單說(shuō)一下普通晶閘管。晶閘管的工作特性可以概括為∶正向阻斷,觸發(fā)導(dǎo)通,反向阻斷。也就是說(shuō),對(duì)陽(yáng)極施加正向電壓,沒(méi)有觸
            可控硅的工作過(guò)程及原理2022/07/08
            可控硅的工作過(guò)程及原理可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。晶閘管T在工作過(guò)程中,它的陽(yáng)極A和陰極K與
            怎樣正確選擇英飛凌IGBT模塊型號(hào)2022/07/08
            怎樣正確選擇英飛凌IGBT模塊型號(hào)要想搭建一個(gè)優(yōu)秀的電力電子系統(tǒng),正確的功率器件選型非常重要。然而很多新入行的同學(xué)恐怕會(huì)對(duì)IGBT冗長(zhǎng)的料號(hào)略感頭痛,但實(shí)際上功率器件的命名都是有規(guī)律可循的。幾個(gè)字母和數(shù)字,便能反映比如電壓/電流等級(jí)、拓?fù)?、封裝等等豐富的信息。如果熟悉了命名規(guī)則,不用看規(guī)格書(shū),就能對(duì)器件特性了解個(gè)大概。先來(lái)看下英飛凌IGBT模塊的一般命名原則:其中:常見(jiàn)的拓?fù)湫问接校撼R?jiàn)的封裝形式有:常見(jiàn)的模塊特征位變量有:至于最后的結(jié)構(gòu)變量,一般以B開(kāi)頭,比如B11,B15,B26等,就更加復(fù)
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