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            Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 應(yīng)用于硬盤 GMR 磁頭

            來源:伯東企業(yè)(上海)有限公司   2023年02月08日 10:41  

            硬盤磁頭, 是硬盤讀取數(shù)據(jù)的關(guān)鍵部件, 磁頭的好壞在很大程度上決定著硬盤盤片的存儲密度.

             

            GMR 磁頭的使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu), 這比以前的傳統(tǒng)磁頭和MR(Magneto Resisive)磁阻磁頭更為敏感, 相對的磁場變化能引起來大的電阻值變化, 從而實現(xiàn)更高的存儲密度.

             

            某硬盤磁頭制造商采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 應(yīng)用于硬盤磁頭鍍制GMR磁頭導電材料和磁性材料薄膜構(gòu).

             

            Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 技術(shù)參數(shù)

            離子蝕刻

            Φ4 inch X 12片

            基片尺寸

            Φ4 inch X 12片

            Φ5 inch X 10片

            Φ6 inch X 8片

            均勻性

            ±5%

            硅片刻蝕率

            20 nm/min

            樣品臺

            直接冷卻,水冷

            離子源

            Φ20cm 考夫曼離子源

             

            Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220

            伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):

            離子源型號

            RFICP 220

            Discharge

            RFICP 射頻

            離子束流

            >800 mA

            離子動能

            100-1200 V

            柵極直徑

            20 cm Φ

            離子束

            聚焦, 平行, 散射

            流量

            10-40 sccm

            通氣

            Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

            典型壓力

            < 0.5m Torr

            長度

            30 cm

            直徑

            41 cm

            中和器

            LFN 2000

            * 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

             

            Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-J 的樣品臺可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實現(xiàn) GMR 磁頭均勻地接受離子的轟擊, 進而實現(xiàn)提高 GMR 磁頭的加工質(zhì)量.

             

            若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :

            上海伯東 : 羅先生              


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