真空蒸鍍是將固體材料（簡稱蒸鍍材料）在高真空環(huán)境中加熱，沉積在特定基板上，得到薄膜的過程。真空蒸鍍工藝主要用于微電子制造有源元件、器件觸點和金屬互連件、高精度低溫度系數(shù)薄膜電阻器，以及薄膜電容器的絕緣介質(zhì)和電極。
真空蒸發(fā)鍍膜
通過真空蒸發(fā)工藝形成各種薄膜是集成電路制造的一項重要技術。可以通過真空蒸發(fā)沉積多種材料，例如導電材料、介電材料、磁性材料和半導體材料。
影響薄膜質(zhì)量的關鍵過程
在真空蒸發(fā)過程中，系統(tǒng)的真空度直接影響薄膜的質(zhì)量。為了將蒸發(fā)原子或分子沉積在離蒸發(fā)源一定距離的基板上，真空室的真空度一般應優(yōu)于6×10-2 Pa。在真空室中，蒸發(fā)材料只有在其蒸氣壓在1Pa以上時才被蒸發(fā)。為此，往往需要將蒸發(fā)顆粒加熱到1000～2000℃；對于一些耐火材料，它必須加熱到高達3000°C。
常見的加熱方式有兩種
直接加熱-將高熔點導體（如鉬、鈮、鎢或石墨、氮化硼、硼化鈦的混合物）制成各種形狀的籃子或舟，將蒸發(fā)丸放在上面，用大電流以提高溫度。
間接加熱-有些材料在高溫下可能會被加熱的材料腐蝕，因此不應直接放在加熱器上。這時，我們可以使用一些耐熱且穩(wěn)定的材料，如氧化鋁、氧化釔或氧化鋯來制作坩堝。蒸發(fā)材料置于坩堝內(nèi)，加熱器通過坩堝加熱蒸發(fā)材料。
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