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貨物所在地：北京北京市
更新時間：2025-05-19 13:17:12
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聚酯薄膜介質(zhì)損耗測試儀
信號源范圍DDS數(shù)字合成信號 | 10KHZ-70MHz | 10KHZ-110MHz | 100KHZ-160MHz |
信號源頻率覆蓋比 | 7000:1 | 11000:1 | 16000:1 |
信號源頻率精度 6位有效數(shù) | 3×10-5 ±1個字 | 3×10-5 ±1個字 | 3×10-5 ±1個字 |
采樣精度 | 11BIT | 11BIT | 12BIT 高精度的AD采樣，了Q值的穩(wěn)定性，以及低介質(zhì)損耗材料測試時候的穩(wěn)定性 |
Q測量范圍 | 1-1000自動/手動量程 | 1-1000自動/手動量程 | 1-1000自動/手動量程 |
Q分辨率 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 |
Q測量工作誤差 | <5% | <5% | <5% |
電感測量范圍 4位有效數(shù),分辨率0.1nH | 1nH-8.4H ,分辨率0.1nH | 1nH-8.4H 分辨率0.1nH | 1nH-140mH分辨率0.1nH |
電感測量誤差 | <3% | <3% | <3% |
調(diào)諧電容 | 主電容30-540pF | 主電容30-540pF | 主電容17-240pF |
電容直接測量范圍 | 1pF～2.5uF | 1pF～2.5uF | 1pF～25nF |
調(diào)諧電容誤差 分辨率 | ±1pF或<1% 0.1pF | ±1pF或<1% 0.1pF | ±1pF或<1% 0.1pF |
諧振點(diǎn)搜索 | 自動掃描 | 自動掃描 | 自動掃描 |
Q合格預(yù)置范圍 | 5-1000聲光提示 | 5-1000聲光提示 | 5-1000聲光提示 |
Q量程切換 | 自動/手動 | 自動/手動 | 自動/手動 |
LCD顯示參數(shù) | F，L，C，Q，Lt，Ct波段等 | F，L，C，Q，Lt，Ct波段等 | F，L，C，Q，Lt，Ct波段等 |
自身殘余電感和測試引線電感的自動扣除功能() | 有 | 有 | 有 |
大電容值直接測量顯示功能() | 測量值可達(dá)2.5uF | 測量值可達(dá)2.5uF | 測量值可達(dá)25nF |
介質(zhì)損耗系數(shù) | 精度 萬分之三 | 精度 萬分之三 | 精度 萬分之一 |
介損系數(shù) | 萬分之一 | 萬分之一 | 萬分之一 |
介電常數(shù) | 精度 千分之一 | 精度 千分之一 | 精度 千分之一 |
材料測試厚度 | 0.1mm-10mm | 0.1mm-10mm | 0.1mm-10mm |
聚酯薄膜介質(zhì)損耗測試儀由S916測試裝置（夾具）、QBG-3E/QBG-3F/AS2853A型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件（裝入QBG-3E/QBG-3F或AS2853A的軟件模塊)、及LKI-1型電感器組成。依據(jù)國標(biāo)GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美標(biāo)ASTM D150以及國際電工委員會IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動測量的解決方案。本儀器中測試裝置是由平板電容器組成，平板電容器一般用來夾被測樣品，配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過公式計(jì)算得到。使用QBG-3E或AS2853A數(shù)字Q表具有自動計(jì)算介電常數(shù)（ε）和介質(zhì)損耗（tanδ）。
定義：
這些試驗(yàn)方法所用術(shù)語定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語定義見術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)D1711。
本標(biāo)準(zhǔn)專用術(shù)語定義：
電容，C，名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢差時，導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲存電分離電荷的性能。
討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫倫為單位，電位采用伏特為單位時，電容單位為法拉，即：
C=q/V （1）
耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值。
D=K''/K' (2)
3.2.2.1 討論——a：
D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)
式中：
G=等效交流電導(dǎo)，
Xp=并聯(lián)電抗，
Rp=等效交流并聯(lián)電阻，
Cp=并聯(lián)電容，
ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）
耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時成為儲能因子。對于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：
D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)
串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：
Cp=Cs/(1 D2) (5)
Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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