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技術(shù)文章

閱讀：1240 發(fā)布時間：2024-3-29

thermo近紅外加熱裝置的特點

它可以僅對置于超高真空或氣流等各種氣氛中的樣品照射精確的紅外線，并以非接觸方式快速加熱樣品。

它可以輕松連接到真空系統(tǒng)和分析設(shè)備。
這是Thermo Riko的主要型號。

	升溫快	：最大升溫速率150℃/秒，約1分鐘升至1500℃
	清潔供暖	：不用擔(dān)心熱源或電磁感應(yīng)產(chǎn)生氣體
	局部供暖	：僅向樣品照射紅外線，不加熱周圍區(qū)域
	可自由連接	：可安裝在各種真空系統(tǒng)中（ICF70）

	Si、SiC、石墨烯等樣品的快速加熱和退火
	氧化氣氛中氧化物晶體的生成和薄膜的形成
	在氫氣或氮氣中加熱基材
	X 射線或 UV 照射期間樣品溫度升高
	熱解吸氣體分析儀、XPS、XRD、PLD 等分析儀中樣品的加熱。
	磁場加熱、無磁場加熱
	在加壓氣氛下加熱
	通過向樣品施加負(fù)載來加熱

　　　紅外線感應(yīng)加熱設(shè)備根據(jù)應(yīng)用有以下規(guī)格。

超高真空型	兼容10 -9 Pa超高真空。
快速加熱型	可高速加熱，最大加熱速度可達(dá)150℃/秒。
常壓加熱型	可以對放置在大氣中的樣品進(jìn)行點加熱。
加壓氣氛型	可以加熱低于 10 個大氣壓的加壓室中的樣品。
特殊規(guī)格	利用GV系列的特點，可以滿足快速冷卻、負(fù)載加熱、磁場加熱等各種要求。　請隨時與我們聯(lián)系。
符合 CE 標(biāo)志	我們還生產(chǎn)符合 CE 標(biāo)志的產(chǎn)品。

原理圖

　超高真空型GVH

　快速加熱型GV/GVL

　加壓氣氛型GVP

它由紅外引入主體、多口真空室、溫度控制器等組成，能夠在高真空下對樣品進(jìn)行超高速加熱。
它有許多真空口，可用于多種實驗。

通過打開和關(guān)閉真空室前門即可取出和取出樣品。

[應(yīng)用]
- 真空和氣體環(huán)境中樣品的連續(xù)加熱和冷卻控制
- 樣品表面加熱和背面冷卻的快速升降溫測試（可選）
- 加壓氣氛中加熱（可選）

它由紅外線導(dǎo)入加熱裝置、小型真空室、測溫樣品部、溫度控制器等組成。

通過從底部用紅外線照射真空室內(nèi)的樣品，可以清潔地加熱樣品并以超高速升高溫度。
您可以在樣品加熱時從腔室頂部的觀察窗觀察樣品并拍照。

它由超高真空紅外感應(yīng)加熱裝置、超高真空室、質(zhì)譜儀、電源/安全電路單元、真空排氣裝置組成，能夠?qū)悠樊a(chǎn)生的痕量氣體進(jìn)行質(zhì)譜分析達(dá)到高溫。

紅外感應(yīng)加熱設(shè)備的熱源位于真空室外，不產(chǎn)生氣體，可以進(jìn)行清潔加熱，可以進(jìn)行高精度分析。

介紹三種非常適合在磁場中對樣品進(jìn)行熱處理的模型。
【特點】
- 由于采用紅外線傳輸加熱方式，樣品不受電磁感應(yīng)影響
- 只能對樣品進(jìn)行精準(zhǔn)加熱，磁體壁不被加熱。

也可以在真空或氣體氣氛中升高溫度。
可貼附于超導(dǎo)磁體及各種電磁鐵上。

當(dāng)樣品溫度為1000℃時，孔內(nèi)壁溫度低于40℃。

在高真空中進(jìn)行 X 射線照射時，樣品被加熱至超高溫度。
（紅外線從左上對角方向和右下對角方向照射，X射線從左側(cè)和水平方向照射。）

真空室安裝在XY工作臺、旋轉(zhuǎn)工作臺和旋轉(zhuǎn)工作臺上，可以在加熱、保持或冷卻樣品的同時從任何角度分析樣品的晶體結(jié)構(gòu)。

　送貨目的地：Spring-8

紅外感應(yīng)加熱裝置與各種分析裝置結(jié)合使用。
左圖是X射線光電子能譜儀。

這是將 GVL298 類型安裝到 XPS 的示例。
通過紅外線照射對預(yù)真空室內(nèi)的樣品進(jìn)行加熱，除去樣品中所含的水分和氣體并進(jìn)行清潔。
樣品在超高真空中通過傳輸桿移動到照片右側(cè)的XPS分析室，在那里接受X射線照射并進(jìn)行表面分析。