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            一文詳解IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

            閱讀:1914        發(fā)布時間:2022-2-14

            IGBT簡介:

            IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件,期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場景中,如電動汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn),IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu",被國家列為重點(diǎn)研究對象。


            IGBT測試難點(diǎn):

            1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

            2、IGBT的漏電流越小越好,所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測試。

            3、IGBT動態(tài)電流范圍大,測試時需要量程范圍廣,且量程可以自動切換的模塊進(jìn)行測試。

            4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯,脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng),所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測試,用于評估期間的自加熱特性。

            5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要。

            6、IGBT開關(guān)特性非常重要,需要進(jìn)行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。


            IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域,在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場景。


            那么IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試需要哪些儀器呢?

            E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高3000V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測量電壓0~3000V,輸出及測量電流0~100mA支持恒壓恒流工作模式,同時支持豐富的I-V掃描模式

            用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

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            E300高電壓源測單元


            HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

            設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合,使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓"掃描測試。

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            HCPL100型高電流脈沖電源


            P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者,特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

            脈沖源表背景1.jpg

            P系列脈沖源表

            IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)簡介

            功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級電阻,p*電流精準(zhǔn)測量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。

             

            產(chǎn)品特點(diǎn)

            • 高電壓:支持高達(dá)3KV高電壓測試;

            • 大電流:支持高達(dá)4KA大電流測試;

            • 高精度:支持uΩ級電阻、pA級電流、uV級精準(zhǔn)測量;

            • 豐富模板:內(nèi)置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù);

            • 配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能;

            • 數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;

            • 模塊化設(shè)計:內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計,可自由配置,方便維護(hù);

            • 可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;

            • 可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā);

               

              技術(shù)指標(biāo)

            IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)應(yīng)用


                 功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;



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