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1999年,InnoSenT成為世jie上di一家基于FET振蕩器技術(shù)的平面和高度集成的低成本雷達(dá)傳感器制造商,從而用Gunn振蕩器取代了當(dāng)時(shí)常見的空心導(dǎo)體模塊。七年后,InnoSentT再次成為第yi家為傳感器端部提供集成SiGe電路的制造商,即所謂的SiGe回路。MMIC,大量使用。
如今,InnoSenT每年為商業(yè)、工業(yè)和汽車應(yīng)用生產(chǎn)超過(guò)150萬(wàn)個(gè)雷達(dá)模塊,并呈快速增長(zhǎng)趨勢(shì),功能和復(fù)雜性不斷增加。