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CXT2663四探針方塊電阻測(cè)試儀應(yīng)用

性能特點(diǎn)

最高方阻精度：3 %；方阻最小分辨：100uΩ

最高電阻精度：0.05 %；電阻最小分辨：100uΩ

溫度補(bǔ)償功能（TC）；溫度基本精度: 0.1 ℃

被測(cè)件厚度可預(yù)設(shè),電阻率測(cè)試無需查表

零底數(shù)設(shè)計(jì)，微弱電阻測(cè)試無需清零

多種探頭可選,測(cè)量各種特性材料的方阻電阻率

3檔比較功能: 合格/超上限/超下限

電阻/方阻、電阻率、電導(dǎo)率同步測(cè)試

HANDLER/USB/RS232/RS485接口遠(yuǎn)程控制

U盤記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，并可遠(yuǎn)程升級(jí)儀器軟件

符合GBT 1551-2009及GBT 1552-1995

適用于測(cè)量半導(dǎo)體、導(dǎo)電薄膜、金屬/納米涂層、太陽能材料、陶瓷等，也可直接測(cè)量電阻器

京海興樂科技（北京）有限公司提供儀器維修，產(chǎn)品帶檢，技術(shù)培訓(xùn)，產(chǎn)品配件選型，儀器說明書。與之配套選件：直 探頭、斜探頭、測(cè)厚探頭、角度探頭、保護(hù)膜探頭、連接線、耦合劑、探傷試塊、電池、充電器、電源線

產(chǎn)品介紹：

CXT2663系列四探針方塊電阻測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途寬量程綜合測(cè)量設(shè)備, 同時(shí)也是電阻率測(cè)試儀、電導(dǎo)率測(cè)試儀.該儀器是按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，可用于測(cè)試半導(dǎo)體及其他各種材料電阻率及方塊電阻的專用儀器。儀器運(yùn)用雙電測(cè)原理，進(jìn)行多次測(cè)量，自動(dòng)消減樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)相比，大大提高測(cè)量精度和一致性。

儀器選配 U盤數(shù)據(jù)記錄接口，可方便的進(jìn)行測(cè)試數(shù)據(jù)的記錄；標(biāo)配USB接口和RS232接口可與電腦相連接；電腦配套操作軟件可以方便直觀的直接對(duì)儀器進(jìn)行全功能操作、并記錄數(shù)據(jù),方便對(duì)材料進(jìn)行電氣分析。儀器測(cè)量精度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、操作簡(jiǎn)單、測(cè)試結(jié)果顯示直觀，廣泛運(yùn)用于半導(dǎo)體材料廠、科研單位、高等院校等對(duì)各種半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料、導(dǎo)體材料及各種新材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。

適用范圍：

適用于片狀或塊狀半導(dǎo)體材料的徑向和軸向電阻率及擴(kuò)散層的薄層、太陽能等材料的測(cè)試.配置不同的測(cè)試探頭，可以測(cè)量柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層材料的電阻率/方阻.也可使用電阻測(cè)試夾具直接測(cè)量電阻器電阻. 

產(chǎn)品描述:

電阻測(cè)試范圍:100uΩ-100KΩ;方阻測(cè)試范圍: 100uΩ/□-100KΩ/□; 電阻率測(cè)試范圍取決于電阻測(cè)試范圍及被測(cè)件尺寸.