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            透射電鏡氣體高溫原位系統運用了什么技術?

            閱讀:1542      發(fā)布時間:2023-7-28
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            透射電鏡氣體高溫原位系統通過MEMS芯片對樣品施加熱場控制,結合EDS、EELS、SAED、HRTEM、STEM等多種不同模式,實現從納米甚至原子層面實時、動態(tài)監(jiān)測樣品在氣體環(huán)境下隨溫度變化產生的微觀結構演化、反應動力學、相變、元素價態(tài)、化學變化、微觀應力以及表/界面處的原子級結構和成分演化等關鍵信息。

            透射電鏡氣體高溫原位系統運用了多場耦合技術,可在氣相環(huán)境中實現光、電、熱、流體多場耦合。透射電鏡氣體高溫原位系統具有高的安全性:

            1.采用納流控技術,通過壓電微控系統進行流體微分控制,實現納升級微量流體輸送,控制精度為5 nL/s,每次氣體推送過程中,原位納流控系統及樣品桿中冗余的氣體量僅有微升級別,有效保證電鏡安全。

            2.采用高分子膜面接觸密封技術,相比于o圈密封,增大了密封接觸面積,有效減小滲漏風險。

            3.采用超高溫鍍膜技術,芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點。

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