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            廣州領(lǐng)拓儀器科技有限公司
                                                                        
            
										  初級(jí)會(huì)員 | 第3年									
            
                                    								
            

							
            
						
            
                        

					
            
										
            
						
            
                            							
            
								
            
								
            
									
            400-8084-333
            
								
            
							
            
                            						
            
					
            
										
				
            
			
            
			
            
				
            
					
				
            
			
            
		
            

		
		 
				
            
			
            
				
			
            
		
            
		
            
			
            
				
            
					
            
						

						
            
							
            
																														
            
											
            標(biāo)樂Buehler 金相制樣
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            徠卡Leica 顯微鏡
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            徠卡Leica 電鏡制樣
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            威爾遜
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            形創(chuàng) 三維掃描測量
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            萊馳RETSCH 粉碎、研磨、篩分
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            麥奇克萊馳MICROTRAC MRB 粒度粒形分析儀
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            埃爾特ELTRA 碳 / 氫 / 氧 / 氮 / 硫元素分析儀
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            卡博萊特蓋羅Carbolite Gero 高溫箱爐
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            鼎竑離子減薄
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            EM科特 臺(tái)式掃描電鏡
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            美墨爾特
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            微曠 高性能原位X射線CT
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            英斯特朗Instron 力學(xué)測試
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            業(yè)納 長度測量儀器
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            澤攸科技掃描電鏡&臺(tái)階儀
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            島津Shimadzu 色譜
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            島津Shimazu 元素分析與光譜儀
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            島津Shimazu 表面分析
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            島津Shimadzu 物理性分析
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            島津Shimadzu 無損檢測
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            TQC /SHEEN涂料測試
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            其他設(shè)備
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            金相切片耗材
            
											
            
											
											
            
																					
            
											
            INSTEC 冷熱臺(tái)
            
											
            
											
            
																						
            
											
            
																																						

							
            
                            						    
                            						
            



						



            
					
            
						
            應(yīng)用案例 | 電鏡樣品制備之IC芯片
            
						
            
							時(shí)間：2024/4/7閱讀：265
							
            
							
				
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            本文采用徠卡三離子束切割儀TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)制備IC芯片。
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            1號(hào)樣品
            IC芯片大概長20 mm，厚2 mm，樹脂包埋后直徑為32 mm，高度11 mm。樣品已經(jīng)用機(jī)械的方式拋光好，但是表面拋光得并不是很理想。
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            01采用TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)制備

            不同于離子束切割方式，離子束拋光前需要對(duì)樣品進(jìn)行機(jī)械拋光，因?yàn)閮煞N方式材料去除深度是不一樣的，拋光要比切割去除深度淺。為了說明拋光平臺(tái)的概念，沒有對(duì)這個(gè)樣品進(jìn)行額外的機(jī)械拋光。

            02參數(shù)設(shè)置

            旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)：
            電壓為7 kv，角度為12度，工作時(shí)間為1個(gè)小時(shí)。

            03結(jié)果

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            2號(hào)樣品
            樣品尺寸為長15 mm，厚3 mm。樣品客戶已經(jīng)做了機(jī)械拋光，但是表面拋光效果很差。（見下圖）
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            01采用TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)制備

            離子束拋光相對(duì)于離子束切割方式，材料去除深度要淺，所以要求樣品表面要機(jī)械拋光好才行（最好在50倍的光學(xué)顯微鏡下看不見劃痕）。
            這個(gè)樣品我們建議用徠卡精研一體機(jī)TXP做前處理，這樣整排bonding wire都會(huì)顯現(xiàn)，并且表面的拋光質(zhì)量也會(huì)高很多。

            02參數(shù)設(shè)置

            旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)：
            電壓為8 kv，角度為12度，工作時(shí)間為1個(gè)小時(shí)。

            03結(jié)果

            由于之前機(jī)械拋光效果很差，所以需要采用8 kv的電壓拋光一個(gè)小時(shí)，通常情況是只需要20分鐘。金線（銅線）的去除量要比硅多，所以兩種材質(zhì)已經(jīng)不在同一平面上了（不同的聚焦面）。然而，下圖還是能很好地告訴我們經(jīng)過離子束拋光后表面的制備質(zhì)量得到了明顯的提高。

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            3號(hào)樣品
            銅或者金的樣品尺寸為長30 mm，厚10 mm，樹脂包埋直徑為38 mm，高度12 mm。(離子束拋光能接受的最大高度)?？蛻粢呀?jīng)采用機(jī)械拋光好，樣品拋光得還行，但是有劃痕。
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            01采用TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)制備

            樣品較大，包埋后直徑為38 mm。需要離子束拋光的面積大小為30 mmX10 mm。

            02參數(shù)設(shè)置

            旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)：
            電壓為6 kv，角度為12度，工作時(shí)間為1個(gè)小時(shí)。

            03結(jié)果

            由于表面拋光效果還行，所以設(shè)置電壓低一些，只需要30分鐘即可。
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            總結(jié)

            以下為客戶提供的樣品表面（左圖）與經(jīng)過離子束拋光后的表面（右圖）對(duì)比。
            8 kv處理1個(gè)小時(shí)

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            6 kv處理30分鐘

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            以上樣品很好地說明了徠卡三離子束切割儀中旋轉(zhuǎn)拋光平臺(tái)的概念。即使遇到直徑達(dá)38 mm的樣品的時(shí)候，表面能處理的區(qū)域也能達(dá)到30 mm。離子束拋光程度如何取決于之前的機(jī)械拋光，因此建議在離子束拋光前的機(jī)械拋光盡量做得好一些，在50倍的光鏡下看不見劃痕為宜。



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