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            技術(shù)文章

            ICP-AES和ICP-MS、AAS方法的比較

            閱讀:855          發(fā)布時間:2022-2-23

            隨著ICP-AES的流行使很多實(shí)驗(yàn)室面臨著再增購一臺ICP-AES,還是停留在原來使用AAS上的抉擇。現(xiàn)在一個新的技術(shù)ICP-MS又出現(xiàn)了,雖然價(jià)格較高,但I(xiàn)CP-MS具有ICP-AES的優(yōu)點(diǎn)及比石墨爐原子吸收(GF-AAS)更低的檢出限的優(yōu)勢。因此如何根據(jù)分析任務(wù)來判斷其適用性呢?

            ICP-MS是一個以質(zhì)譜儀作為檢測器的等離子體,ICP-AES和ICP-MS的進(jìn)樣部分及等離子體是極其相似的。ICP-AES測量的是光學(xué)光譜(120nm-800nm),ICP-MS測量的是離子質(zhì)譜,提供在3-250amu范圍內(nèi)每個原子質(zhì)量單位(amu)的信息。還可進(jìn)行同位素測定。尤其是其檢出限給人極深刻的印象,其溶液的檢出限大部分為ppt級,石墨爐AAS的檢出限為亞ppb級,ICP-AES大部分元素的檢出限為1-10ppb,一些元素也可得到亞ppb級的檢出限。但由于ICP-MS的耐鹽量較差,ICP-MS的檢出限實(shí)際上會變差,多大50倍。一些輕元素(如S、Ca、Fe、K、Se)在ICP-MS中有嚴(yán)重的干擾,其實(shí)際檢出限也很差。

            元素

            ICP-MS

            ICP-AES

            GF-AAS

            F-AAS

            Ag

            0.003

            0.3

            0.01

            1.5

            Al

            0.006

            0.2

            0.1

            45

            Au

            0.001

            0.6

            0.1

            9

            B

            0.09

            0.3

            20

            1000

            Ba

            0.002

            0.04

            0.35

            15

            Be

            0.03

            0.05

            0.003

            1.5

            Bi

            0.0005

            2.6

            0.25

            30

            Ca

            0.5

            0.02

            0.01

            1.5

            Cd

            0.003

            0.09

            0.008

            0.8

            Ce

            0.0004

            2.0

            --

            --

            Co

            0.0009

            0.2

            0.15

            9

            Cr

            0.02

            0.2

            0.03

            3

            Cs

            0.0005

            --

            0.04

            15

            Cu

            0.003

            0.2

            0.04

            1.5

            Fe

            0.4

            0.2

            0.1

            5

            Ga

            0.001

            4.0

            0.1

            50

            Hf

            0.0006

            3.3

            --

            300

            Hg

            0.004

            0.5

            0.6

            50

            In

            0.0005

            9.0

            0.04

            30

            K

            1

            0.2

            0.008

            3

            La

            0.0005

            1.0

            --

            2000

            Li

            0.027

            0.2

            0.06

            0.8

            Mg

            0.007

            0.01

            0.004

            0.1

            Mn

            0.002

            0.04

            0.02

            0.8

            Mo

            0.03

            0.2

            0.08

            30

            Na

            0.03

            0.5

            --

            0.3

            Nb

            0.0009

            5.0

            --

            1500

            Ni

            0.005

            0.3

            0.3

            5

            Os

            --

            0.13

            --

            120

            P

            0.001

            1.5

            0.06

            10

            Pb

            0.001

            1.5

            0.06

            10

            Pd

            0.0009

            3.0

            0.8

            10

            Pt

            0.002

            4.7

            1

            6

            Rb

            0.003

            30

            0.03

            3

            Re

            0.0006

            3.3

            --

            600

            Rh

            0.0008

            5.0

            0.8

            6

            Ru

            0.002

            6.0

            --

            60

            S

            70

            9.0

            --

            --

            Sb

            0.001

            2.0

            0.15

            30

            Sc

            0.015

            0.09

            6

            30

            Se

            0.06

            1.5

            0.3

            100

            Si

            0.7

            1.5

            1.0

            90

            Sn

            0.002

            1.3

            0.2

            50

            Sr

            0.0008

            0.01

            0.025

            3

            Ta

            0.0006

            5.3

            --

            1500

            Te

            0.01

            10

            0.1

            30

            Th

            0.0003

            5.4

            --

            --

            Ti

            0.006

            0.05

            0.35

            7.5

            Tl

            0.0005

            1.0

            0.15

            15

            U

            0.0003

            5.4

            --

            15000

            V

            0.002

            0.2

            0.1

            20

            W

            0.001

            2.0

            --

            1500

            Y

            0.0009

            0.3

            --

            75

            Zn

            0.003

            0.2

            0.01

            1.5

            zr

            0.004

            0.3

            --

            450

            這集中分析技術(shù)的分析性能可以從下面幾個方面進(jìn)行比較:

            容易使用程度在日常工作中,從自動化來講,ICP-AES是成熟的,可有技術(shù)不熟練的人員來應(yīng)用ICP-AES專家制定的方法進(jìn)行工作。ICP-MS的操作直到現(xiàn)在仍然較為復(fù)雜,盡管近年來在計(jì)算機(jī)控制和智能化軟件方面有很大的進(jìn)步,但在常規(guī)分析前仍需由技術(shù)人員進(jìn)行精密的調(diào)整,ICP-MS的方法研究也是很復(fù)雜及耗時的工作。GF-AAS的常規(guī)工作雖然是比較容易的但制定方法仍需要相當(dāng)熟練的技術(shù)。

            分析試液中的總固體溶解量(TDS):在常規(guī)工作中,ICP-AES可分析10%TDS的溶液,甚至可以高至30%的鹽溶液。在短時期內(nèi)ICP-MS可分析0.5%的溶液,但在大多數(shù)情況下采用不大于0.2%TDS的溶液為佳。當(dāng)原始樣品是固體時,與ICP-AES,GP-AAS相比,ICP-MS需要更高的稀釋倍數(shù),match折算到原始固體樣品中的檢出限就顯示不出很大的優(yōu)勢了。

            線性動態(tài)范圍(LDR):ICP-MS具有超過10以上的LDR,各種方法可使其LDR開展至10。但不管如何,對ICP-MS來說:高基體濃度會使分析出現(xiàn)問題,而這些問題的最好解決方案是稀釋。因此,ICP-MS應(yīng)用的主要領(lǐng)域在痕量/超痕量分析。GF-AAS的LDR限制在10-10,如選用次靈敏線可進(jìn)行高一些濃度的分析。ICP-AES具有10以上的LDR且抗鹽份能力強(qiáng),可進(jìn)行痕量及主matchmatch元素的測定,ICP-AES可測定的濃度高達(dá)百分含量,因此,ICO-AES可以很好地滿足實(shí)驗(yàn)室主、次、痕量元素常規(guī)分析的需要。

            精密度:ICP-MS的短期精密度一般是1-3%RSD,這是應(yīng)用多內(nèi)標(biāo)法在常規(guī)工作中得到的。ICP-AES的短期精密度一般為0.3-1%RSD,幾個小時的長期精密度小于3%RSD。GF-AAS的短期精密度為0.5-5%RSD,長期精密度的因素不在于時間而視石墨管的使用次數(shù)。

            樣品分析能力:ICP-MS和ICP-AES的分析能力體現(xiàn)在其可以多元素同時測定上。ICP-AES的分析速度取決于是采用全譜直讀型還是單道掃描型,每個樣品所需的時間為2或6分鐘,全譜直讀型較快,一般為2分鐘測定一個樣品。GF-AAS的分析速度為每個樣品中每個元素需要3-4分鐘,可以無人自動工作,可保證其對樣品的分析能力。

            運(yùn)行的費(fèi)用:ICP-MS運(yùn)行費(fèi)用要高于ICP-AES,因?yàn)镮CP-MS的一些部件如分子渦輪泵、取樣錐和截取錐以及檢測器有一定的使用壽命而且需要更換。ICP-AES主要是霧化器與炬管的消耗,這和ICP-MS一樣,其使用壽命是相同的。GF-AAS則主要是石墨管的使用壽命及其費(fèi)用。這三種技術(shù)均使用Ar氣,其消耗量是一筆相當(dāng)?shù)馁M(fèi)用,ICP技術(shù)的Ar費(fèi)用遠(yuǎn)高于GF-AAS。 

            方法類型

            ICP-MS

            ICP-AES

            GF-AAS

            F-AAS

            檢出限

            絕大部分元素非常好

            絕大部分元素很好

            部分元素非常好

            部分元素較好

            分析能力

            動態(tài)范圍





            108

            106

            107

            103

            精密度(RSD)

            短期

            1-3%

            0.3-1%

            1-5%

            0.1-1%

            長期(4h)

            <5%

            <3%

            --

            --

            干擾情況

            光(質(zhì))譜干擾

            很少

            化學(xué)(基體)

            中等

            幾乎沒有

            電離干擾

            很少

            很少

            很少

            有一些

            質(zhì)量效應(yīng)

            存在

            不存在

            不存在

            不存在

            同位素干擾

            固體溶解量(Max.)

            0.1-0.5%

            2-10%

            >20%

            0.5-3%

            可測元素

            >75

            >73

            >50

            >68

            樣品用量

            較多

            很少

            半定量分析

            不能

            不能

            同位素分析

            不能

            不能

            不能

            分析方法開發(fā)

            需要專業(yè)知識

            需要專業(yè)技術(shù)

            需要專業(yè)技術(shù)

            容易

            無人控制操作

            不能

            使用易ran 氣體

            運(yùn)行費(fèi)用

            中上

            中等

            根據(jù)分析溶液中待測元素的濃度來看,若每個樣品測定1-3個元素,元素濃度為亞或低于ppb級,如果被測元素要求能夠滿足的情況下,選用GF-AAS是最合適的;若每個樣品5-20個元素,含量為亞ppm至%,選用ICP-AES是最合適的;如果每個樣品需測4個以上的元素,在亞ppb含量,而且樣品的數(shù)量也相當(dāng)大,選用ICP-MS是較合適的。可以看出ICP-AES是比較理想的分析方法,是實(shí)驗(yàn)室應(yīng)當(dāng)配置的常規(guī)分析手段。如果實(shí)驗(yàn)室選用了ICP-AES來取代ICP-MS,那么實(shí)驗(yàn)室最好能配備GF-AAS。這一配置可以滿足一般實(shí)驗(yàn)室對于主、次、痕量成分分析的需要。ICP-AES法在冶金分析應(yīng)用上可能出現(xiàn)的最大困難在于如何解決光譜干擾問題。這也是ICP分析技術(shù)發(fā)展中需要不斷解決的研究課題。IVP-AES法基體效應(yīng),可以應(yīng)用內(nèi)標(biāo)法來解決例如霧化室效應(yīng)、試樣與標(biāo)準(zhǔn)溶液之間粘度差異所帶來的基體效益;背景較高可以采用離線背景校正,應(yīng)用動態(tài)背景校正對提高準(zhǔn)確度也是很有效的。IVP-AES法最大的干擾是譜線干擾,其光譜線數(shù)量很大而且光譜線干擾也較難解決。有記載的ICP-AES譜線有50000多條,元素間的譜線干擾及基體的譜線干擾也就很嚴(yán)重。因此,對某些樣品例如鋼鐵、冶金產(chǎn)品的分析必須采用使用高分辨率的ICP-AES儀器,盡量把可能干擾的譜線分開。各種分子粒子(如OH)的譜線或譜帶對某些低含量的被測元素也帶來干擾,影響其樣品分析中的實(shí)際檢出限。因此使用CCD陣列檢測器的儀器,以便準(zhǔn)確快速地得到待測譜線及相鄰背景信息,并對分析譜線和背景進(jìn)行同步測量,可實(shí)現(xiàn)離峰法測量而避開譜線干擾,或采用MSF法或IEC法扣除干擾。選擇每個元素的適宜分析條件或加入電離緩衡劑(如過量的I族元素)可以減少易電離元素的影響。

            綜上所述:在日常工作中ICP-AES分析技術(shù)是成熟的,可由技術(shù)不熟練的人員應(yīng)用ICP-AES技術(shù)人員制定的分析方法來進(jìn)行工作。在常規(guī)工作中,ICP-AES 可分析10%TDS的溶液,甚至可以高至30%的鹽溶液。ICP-AES具有106以上的線性范圍LDR且抗鹽份能力強(qiáng),可以同時進(jìn)行痕量及主要元素的測定,ICP-AES可同時直接測定0.001-60%的濃度含量。ICP-AES外加ICP-MS,或GF-AAS便可很好地滿足實(shí)驗(yàn)室的分析需要。對于每個樣品分析5-20個元素,含量在亞ppm至%,使用ICP-AES是最合適的。ICP-AES和GF-AAS由于現(xiàn)代自動化設(shè)計(jì)以及使用惰性氣體的安全性,可以整夜無人看管工作。因此,ICP儀器必將成為冶金分析實(shí)驗(yàn)室的基本配置,其分析技術(shù)在冶金分析中發(fā)揮越來越重要的作用。


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