AEC-Q200試驗(yàn)條件
說明：AEC-Q200的環(huán)境試驗(yàn)條件，主要是依據(jù)MIL-STD-202與JEDEC22A-104規(guī)范來制定的，不同零件的試驗(yàn)溫度除了不一樣之外，其施加電源(電壓、電流、負(fù)載)要求也會(huì)有所不同，高溫儲(chǔ)存屬于不施加偏壓與負(fù)載，但是在高溫工作壽命就需要，溫度循環(huán)與溫度沖擊，其試驗(yàn)?zāi)康呐c手法不一樣，在溫度循環(huán)中高低溫變化需控制溫變率，溫沖擊則不用，偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗(yàn)，而濕度抵抗就是濕冷凍試驗(yàn)
試驗(yàn)條件注意事項(xiàng)：1000h試驗(yàn)過程需在250h、500h進(jìn)行間隔量測(cè)
高溫儲(chǔ)存(MIL-STD-202-108)：[適用設(shè)備：高低溫試驗(yàn)箱]
薄膜電容、網(wǎng)絡(luò)低通濾波器、網(wǎng)絡(luò)電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h
電感、變壓器、電阻：125℃/1000h
變阻器：150℃/1000h
鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：*大額定溫度/1000h
高溫工作壽命(MIL-STD-202-108)：[適用設(shè)備：高低溫試驗(yàn)箱]
網(wǎng)絡(luò)低通濾波器、網(wǎng)絡(luò)電阻：85℃/1000h
EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h/施加額定IL
鉭電容、陶瓷電容：*大額定溫度/1000h/ (2/3)負(fù)載/額定電壓
鋁電解電容、電感、變壓器：105℃/1000h
薄膜電容：1000h/(85℃/125%額定電壓、105℃&125℃/100%額定電壓)
自恢復(fù)保險(xiǎn)絲：125℃/1000h
電阻、熱敏電阻、可變電容：125℃/1000h/額定電壓
可變電阻：125℃/1000h/額定功率
變阻器：125℃/1000h/額定電壓85％+ma電流
陶瓷共鳴器：85℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個(gè)晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
石英震蕩器：125℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個(gè)晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
溫度循環(huán)(JEDEC22A-104)：[適用設(shè)備：冷熱沖擊試驗(yàn)箱、ESS快速溫度變化試驗(yàn)箱]
薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻： -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
鋁電解電容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
電感、變壓器、變阻器、石英震蕩器、自恢復(fù)保險(xiǎn)絲：-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
網(wǎng)絡(luò)低通濾波器、網(wǎng)絡(luò)電阻：-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
溫度沖擊(MIL-STD-202-107)：[適用設(shè)備：溫度循環(huán)箱、冷熱沖擊試驗(yàn)箱]
自恢復(fù)保險(xiǎn)絲：-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles
偏高濕度(MIL-STD-202-103)：[適用設(shè)備：高低溫濕熱試驗(yàn)箱]
鉭電容、陶瓷電容：85℃/85%R.H./1000h/電壓1.3～1.5V
電感&變壓器：85℃/85%R.H./1000h/不通電
鋁電解電容：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓
EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓＆電流
電阻、熱敏電阻：85℃/85%R.H./1000h/工作電源10%
自恢復(fù)保險(xiǎn)絲：85℃/85%R.H./1000h/額定電流10%
可變電容、可變電阻：85℃/85%R.H./1000h/額定功率10%
網(wǎng)絡(luò)低通濾波器&網(wǎng)絡(luò)電阻：85℃/85%R.H./1000h/電壓[網(wǎng)絡(luò)電容(額定電壓)、網(wǎng)絡(luò)電阻(10%額定功率)]
變阻器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓85％+ma電流
石英震蕩器、陶瓷共鳴器：85℃/85%R.H./1000h/額定VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個(gè)晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
薄膜電容：40℃/93%R.H./1000h/額定電壓
濕度抵抗(MIL-STD-202-106)：[適用設(shè)備：高低溫濕熱試驗(yàn)箱]
薄膜電容：(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h→-10℃/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通電
AEC-Q200專有名詞整理： 簡(jiǎn)稱 | 中文 | 英文 | 說明 | 8D | 解決問題方法 | | | AEC | 汽車電子設(shè)備協(xié)會(huì) | Automotive Electronic Council | 由車廠[克賴斯勒(Chrysler)、福特(Ford)、通用汽車(GM)]發(fā)起并創(chuàng)立于1994年，目前會(huì)員遍及各大汽車廠、汽車電子與半導(dǎo)體廠商。 | AEC-Q001 | 零件平均測(cè)試指導(dǎo)原則 | | | AEC-Q002 | 統(tǒng)計(jì)式良品率分析的指導(dǎo)原則 | | | AEC-Q003 | 芯片產(chǎn)品的電性表現(xiàn)特性化的指導(dǎo)原則 | | | AEC-Q005 | 無鉛測(cè)試要求 | | | AEC-Q100 | 基于集成電路應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理 | | 規(guī)范了零件供貨商所必須達(dá)成的產(chǎn)品質(zhì)量與可靠度，試驗(yàn)條件多仍以JEDEC或MIL-STD為主，外加上其它獨(dú)立建置的測(cè)試手法。 | AEC-Q100-001 | 邦線切應(yīng)力測(cè)試 | | | AEC-Q100-002 | 人體模式靜電放電測(cè)試 | | | AEC-Q100-003 | 機(jī)械模式靜電放電測(cè)試 | | | AEC-Q100-004 | 集成電路閂鎖效應(yīng)測(cè)試 | | | AEC-Q100-005 | 可寫可擦除的記憶的耐久性、數(shù)據(jù)保持及工作壽命的測(cè)試 | | | AEC-Q100-006 | 熱電效應(yīng)引起的寄生閘極漏電流測(cè)試 | | | AEC-Q100-007 | 故障仿真和測(cè)試等級(jí) | | | AEC-Q100-008 | 早期壽命失效率（ELFR） | | | AEC-Q100-009 | 電分配評(píng)估 | | | AEC-Q100-010 | 錫球剪切測(cè)試 | | | AEC-Q100-011 | 帶電器件模式的靜電放電測(cè)試 | | | AEC-Q100-012 | 12V系統(tǒng)靈敏功率設(shè)備的短路可靠性描述 | | | AEC-Q101 | 汽車級(jí)半導(dǎo)體分立器件應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證 | | | AEC-Q200 | 無源器件應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) | | | AEC-Q200-001 | 阻燃測(cè)試 | | | AEC-Q200-002 | 人體模式靜電放電測(cè)試 | | | AEC-Q200-003 | 橫梁負(fù)載、斷裂強(qiáng)度 | | | AEC-Q200-004 | 自恢復(fù)保險(xiǎn)絲測(cè)量程序 | | | AEC-Q200-005 | 板彎曲度測(cè)試 | | | AEC-Q200-006 | 表面貼裝后的剪切強(qiáng)度測(cè)試 | | | AEC-Q200-007 | 電涌測(cè)試 | | |
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