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            目錄:北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司>>光電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)>> FeRAM鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器測(cè)試儀

            FeRAM鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器測(cè)試儀
            • FeRAM鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器測(cè)試儀
            • FeRAM鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器測(cè)試儀
            • FeRAM鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器測(cè)試儀
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            參考價(jià) 面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            參考價(jià) 面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            • 品牌 其他品牌
            • 型號(hào)
            • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
            • 所在地 北京市
            屬性

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            >

            更新時(shí)間:2025-04-21 11:04:38瀏覽次數(shù):1209評(píng)價(jià)

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            應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池,鋼鐵/金屬,航空航天,電氣
            內(nèi)存窗口信息是基于對(duì)器件*集成后進(jìn)行模擬電滯回線測(cè)量后得出的。

            應(yīng)用領(lǐng)域:
            鐵電存儲(chǔ)器的生產(chǎn)
            生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量控制,以便不會(huì)影響到CMOS生產(chǎn)過(guò)程
            在MHz的操作速度下,單級(jí)電滯回線數(shù)據(jù)

            優(yōu)點(diǎn):
            生產(chǎn)過(guò)程的工藝優(yōu)化
            在MHz范圍的時(shí)間影響測(cè)試
            適用于2T-2C 設(shè)計(jì)和1T-1C設(shè)計(jì)

            鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器測(cè)試儀
            FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) Cell Tester

            鐵電存儲(chǔ)器.png



            內(nèi)存窗口信息是基于對(duì)器件*集成后進(jìn)行模擬電滯回線測(cè)量后得出的。

            應(yīng)用領(lǐng)域:
            鐵電存儲(chǔ)器的生產(chǎn)
            生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量控制,以便不會(huì)影響到CMOS生產(chǎn)過(guò)程
            MHz的操作速度下,單級(jí)電滯回線數(shù)據(jù)

            優(yōu)點(diǎn):
            生產(chǎn)過(guò)程的工藝優(yōu)化
            MHz范圍的時(shí)間影響測(cè)試
            適用于2T-2C 設(shè)計(jì)和1T-1C設(shè)計(jì)
            從模擬測(cè)試數(shù)據(jù)得出內(nèi)存窗口信息
            客戶可定制測(cè)試環(huán)境
            升級(jí)服務(wù)
            客戶支持

            程序功能:
            可以在單一器件上進(jìn)行電滯回線、PUND脈沖測(cè)試等測(cè)試過(guò)程。
            上升時(shí)間可實(shí)現(xiàn)1μm,自定義的測(cè)試脈沖可以用于測(cè)試不同類(lèi)型的失效機(jī)制。預(yù)極化脈沖參數(shù)可以在測(cè)試序列里單獨(dú)設(shè)置。
            可以使用Access Time程序進(jìn)行相同脈沖強(qiáng)度下不同幅值相同脈沖寬度或相同脈沖幅值不同脈沖寬度的測(cè)試。
            這些測(cè)試是基于的
            技術(shù):原位寄生電容補(bǔ)償。

            特點(diǎn):
            FeRAM測(cè)試儀是用來(lái)記錄全面的測(cè)試單元電滯回線的,測(cè)試儀生成所需要的時(shí)間。
            如果芯片的布局發(fā)生變化,可以自動(dòng)獲取材料特性較大的陣列。這種情況下,測(cè)試儀是用一個(gè)開(kāi)關(guān)盒和一個(gè)探針臺(tái)工作的。軟件可以自動(dòng)調(diào)整設(shè)置的參數(shù)。
            參數(shù)的統(tǒng)計(jì)評(píng)價(jià)是通過(guò)aixPlorer完成的。
            FeRAM測(cè)試儀最大的優(yōu)點(diǎn)就是可以使重要信息流程化,從而提高產(chǎn)量,降低了成本,從而減少了產(chǎn)品上市的時(shí)間。相關(guān)的數(shù)字結(jié)果和模擬實(shí)驗(yàn)提供了重要信息。
            FeRAM測(cè)試儀擁有高分辨測(cè)量和速度到微秒的測(cè)量功能。


             

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