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            上海硅酸鹽所高溫壓電陶瓷材料研究取得進(jìn)展

            閱讀:1053      發(fā)布時(shí)間:2022-6-16
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            上海硅酸鹽所高溫壓電陶瓷材料研究取得進(jìn)展


            鉍層狀結(jié)構(gòu)高溫壓電陶瓷是重要的功能材料,其典型代表鈦酸鉍(Bi4Ti3O12,簡稱BIT)是上482 ℃高溫壓電振動(dòng)傳感器用壓電材料的,應(yīng)用于航空航天、核能領(lǐng)域在高溫、高輻照、復(fù)雜振動(dòng)等嚴(yán)苛環(huán)境下對(duì)關(guān)鍵裝備的振動(dòng)監(jiān)測和健康管理。BIT壓電陶瓷的居里溫度(TC = 675 ℃)高,但其晶體結(jié)構(gòu)決定自發(fā)極化方向受到二維限制導(dǎo)致壓電系數(shù)偏低(d33 < 7pC/N),高溫電阻率較低(ρ < 10Ω·cm @ 500 ℃)導(dǎo)致漏電流偏大,制約了BIT壓電陶瓷在高溫領(lǐng)域中的實(shí)際應(yīng)用。

            近日,中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所壓電陶瓷材料與器件研究團(tuán)隊(duì)通過離子對(duì)效應(yīng)和A/B位協(xié)同摻雜改性來提高BIT基陶瓷的壓電性能,并探究了結(jié)構(gòu)與壓電性之間的構(gòu)效關(guān)系。研究根據(jù)*的層狀晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn),運(yùn)用等價(jià)離子對(duì)調(diào)控策略,設(shè)計(jì)出Bi4Ti3-x(Zn1/3Nb2/3)xO12壓電陶瓷體系。引入Nb5+-Zn2+-Nb5+離子對(duì)后,顯著抑制了導(dǎo)載流子的遷移,500 ℃時(shí)的直流電阻率提高了兩個(gè)數(shù)量級(jí),達(dá)到1.2×107Ω·cm;同時(shí),Nb5+-Zn2+-Nb5+離子對(duì)細(xì)化了鐵電疇結(jié)構(gòu),形成寬度為100nm~200 nm,有利于充分取向的條形鐵電疇。其中,x = 0.07的組成設(shè)計(jì),獲得了大壓電系數(shù)(d33為30.5 pC/N)且保持了高居里溫度(Tc為657 ℃),同時(shí),定向鐵電疇具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性。相關(guān)成果發(fā)表在ACS Applied Materials & Interfaces上。

            研究根據(jù)BIT的鐵電性起源,采用A/B位協(xié)同摻雜的策略,設(shè)計(jì)了Bi4-xCexTi2.98(WNb)0.01O12壓電陶瓷體系。Ce/W/Nb協(xié)同摻雜顯著增強(qiáng)了與d33相關(guān)的PFM面外響應(yīng)信號(hào),同時(shí)疇壁變?yōu)楣饣矫?,減弱釘扎效應(yīng),壓電性能也大幅提高;極化處理后,Bi4-xCexTi2.98(WNb)0.01O12陶瓷的鐵電疇沿外電場方向排列加充分,且重新定向的鐵電疇具有不可逆性。研究采用協(xié)同摻雜的策略,獲得了一系列具有優(yōu)異壓電性能的BIT基陶瓷,優(yōu)組分Bi4-xCexTi2.98(WNb)0.01O12陶瓷的壓電系數(shù)d33高達(dá)40.2 pC/N,這是目前報(bào)道的BIT基陶瓷壓電系數(shù)d33大值。相關(guān)成果發(fā)表在Advanced Electronic Materials上。

            這兩類系列BIT高溫壓電陶瓷材料正在進(jìn)行高溫壓電振動(dòng)傳感器的應(yīng)用驗(yàn)證,有望實(shí)現(xiàn)500 ℃及以上的高溫壓電陶瓷元件國產(chǎn)化。研究工作得到國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)面上項(xiàng)目的支持。


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