錳離子插層MXene Ti2C量子點/單層少層粉末材料

西安齊岳生物供應(yīng)各樣的過渡金屬二維材料MXene，如：Ti3C2、V2C、Nb2C、Mo2C、Ta4C3、Nb4C3、TiVC、Mo2TiAlC2等過20多種。

我們制造了表面帶有-O和-F官能團的Ti2C MXene納米片，用于鋰氧氣電池正極催化劑獲得了的電催化活性，并利用一性原理理論計算，研究了不同表面條件下ORR/OER的反應(yīng)路徑與催化活性。DFT計算表明，與Ti2CF2表面相比，Ti2CO2表面作為主要催化位點為Li2O2的吸附成核-分解過程提供了的單電子反應(yīng)途徑，而Ti2C的表面由于與Li2O2的強化學鍵結(jié)合導致催化能力降低。此外，不均勻的表面條件被認為會放電產(chǎn)物的極化成核和生長，垂直于片層方向累積的納米薄片終形成多孔結(jié)構(gòu)的放電產(chǎn)物，從而為電子與離子傳輸提供了途徑。

如圖所示，利用刻蝕-剝離-退火法獲得了具有表面具有-O和-F官能團的Ti2C MXene納米片，剝離前的樣品顯示出手風琴狀的堆疊結(jié)構(gòu)，其平均厚度過500nm。而處理后Ti2C MXene厚度顯著降低，這樣可以獲得更大的比表面積并提供更多的活動位點。XRD結(jié)果驗證了對Al的成功刻蝕，且（002）峰左移表明Mxene相的形成與晶面間距增大緊密相關(guān)。XPS結(jié)果表明，對于Ti2C MXene獲得了由-O和-F基團為主且?guī)缀鯖]有表面的混合表面條件。

圖1. （a）Ti2C MXene的合成過程示意圖; Ti2C Mxene的（b）SEM圖像、（c）TEM圖像、（d）HRTEM圖像和對應(yīng)的SAED圖案; （e）前體Ti2AlC MAX、 Ti2C MXene剝離前和熱處理前后的XRD圖譜；（f）Ti2C MXene剝離前和熱處理前后的XPS全譜；熱處理后Ti2C MXene的高分辨率XPS光譜：（g）Ti 2p，（h）C 1s，（i）O 1s和（j）F 1s。

產(chǎn)品信息：
名稱：錳離子插層MXene Ti2CTx
尺寸：1-5um
純度： 99%
儲存條件：低溫干燥密封務(wù)必惰性氣氛中保存
工藝：HF處理或HCl+LiF處理
產(chǎn)品描述：在Ti3C2Tx中引入高導電性的錳離子以制備一種電磁屏蔽材料。文中探討了Ti3C2Tx的陽離子插層機理，錳離子傾向于與界面含氧末端成鍵，以Mn 3d和O 2p的軌道雜化的方式結(jié)合。陽離子插層可以擴大層間距，Ti3C2Tx的電導率。Ti3C2Tx中引入高導電性的錳離子后，制備的MSCs表現(xiàn)的儲能能力和突出的電磁干擾屏蔽效率

西安齊岳生物經(jīng)營著種類為的二維納米材料，我們用微機械剝離和液相剝離、化學氣相沉積，物相沉積和分子數(shù)外延方法以及其他方法制備二維納米材料，我公司可以提供的二維晶體種類包括有石墨烯、MXenes-Max，二維過渡金屬碳氮化物，二維晶體，二維薄膜，鈣鈦礦，CVD生長材料，功能二維材料，黑磷納米片、層狀雙氫氧化物、二維MOF、Pd納米片、六方氮化硼納米片，銻烯納米片和二維硼納米片，二硫化鉬等材料，我們還可以提供復雜定制類產(chǎn)品。

二維過渡金屬碳氮化物MXenes-Max產(chǎn)品：

單層Ti2C mxene原位負載納米鉑

Nb2C|Ti2C|Mo2C|V2C Mxene 量子點(5-10nm)

Mo2C MXene薄膜直徑 40mm

Cu、Zn摻雜Ti3C2 MXene量子點

Cu、Zn摻雜Ti2C Mxene量子點；直徑5-10nm

Zn摻雜Mo2C Mxene 量子點 5-10nm

Cu、Zn摻雜Ta4C3 Mxene 量子點

Mxene Nb2C納米線；Mxene Ti3C2納米線

Mxene V2C 納米線

單原子Pt/Ag/負載單層Ti3C2(1-5微米)

單層V2C mxene原位負載納米銀Ag和金Au

單層V2C mxene原位負載納米鉑Pt

單層Ti2C mxene原位負載納米Ag(10-30nm)

單層Ti2C mxene原位負載納米Co鈷

單層/多層 Ti4N3 MXene

單層VCrC mxene尺寸1-5um

Ta2C Mxene 量子點5-10nm

單層Mo2TiC2-MXenes二維材料1-5um

單層Mo2Ti2C3- Mxene材料5-10微米

1-5微米單層TiNbC

單層 Nb4C3 mxene 1-5um定制

大尺寸的V2C納米片（>10μm）

單層大尺寸V2C -mxene 膠體溶液(>5微米)

Nb2C Mxene 量子點5-10nm

單層大尺寸(>5微米)Ti2C -mxene 膠體溶液|cas12316-56-2

大尺寸的Ti2C納米|cas12316-56-2

錳離子插層MXene Ti2C|cas12316-56-2

單原子Pt 摻雜Ti2C mxene|cas12316-56-2

Ti2C Mxene 量子點|cas12316-56-2

單/少層粉末材料Ti2C|cas12316-56-2

單原子Pt摻雜Ti3C2 mxene|cas12363-89-2

單層大尺寸(>5微米)Ti3C2 -mxene 膠體溶液|cas12363-89-2

自支撐膜材料 Ti3C2 MXenes材料|cas12363-89-2

氮硫摻雜改性 Ti3C2Tx mxene|cas12363-89-2

多層Ti3C2Tx mxene原位負載納米銀

V4C3Tx碳化釩 MXene多層納米片|cas12070-10-9

二維納米材料產(chǎn)品目錄：

BAS/Si3N4氮化硅復合材料

BAS/SiC碳化硅復合材料

Si3N4-Al2O3-Y2O3-MgO復合物

碳化硅/氮化硅/聚丙烯復合材料(Si3N4/SiC/PP)

碳納米管-氮化硅改性聚丙烯復合材料

β-碳化硅晶須/賽璐珞復合材料

金屬鎳-氮化硅陶瓷復合材料

硅硼氧氮纖維/氮化硅陶瓷復合材料

碳包覆氮化碳/硅-氮化硅/二氧化硅復合材料

氮化硅/聚對苯二甲酸酯納米復合材料

氮化硅(Si3N4)襯底表面上的納米級Au薄膜

硅襯底上氮化硅薄膜(Si3N4)

氮化硅/二氧化硅(Si02/Si3N4)介質(zhì)膜

CrN/氮化硅(Si3N4)納米多層膜

藍寶石襯底上氮化硅(Si3N4)薄膜

Si3N4/Si襯底上淀積55nm氧化釩薄膜

Al的Si3N4納米線

石英玻璃襯底上沉積平凸形Si3N4球面介質(zhì)膜

Si3N4襯底上制備V2O5/V/V2O5復合薄膜

聚酰亞胺/氮化鋁(PI/AlN)復合材料

氮化鋁質(zhì)陶瓷復合材料

碳化硅晶須氮化鋁(SiC/AlN)復合材料復合材料

氮化鋁填充三元乙丙橡膠復合材料

氮化鋁-碳納米管/氰酸酯樹脂復合材料

氮化鋁(AlN)和液晶聚酯(LCPE,PET/60PHB)的復合基板材料

聚醚醚酮/碳纖維/氮化鋁(PEEK/CF/AlN)復合材料

聚醚砜(PES)/氮化鋁(AlN)復合材料

氮化鋁AlN/尼龍6復合材料

碳化硅-氮化鋁復合材料（SiC/AlN）

硼硅酸鹽玻璃/氮化鋁復合材料

聚乙烯/氮化鋁(PE/AlN)納米復合材料

氮化鋁/環(huán)氧樹脂(AlN/epoxy)復合材料

鋁合金-氮化鋁復合材料(Al/AlN)

銅鉻-氮化鋁復合材料

氮化鋁金屬鋁的雙納米復合材料

氮化鋁修飾碳納米管復合材料(AlN-MWCNT)

氮化鋁/石墨烯納米復合材料(AlN/Go)

碳化硅-氮化鋁(SiC/AlN)復合材料

氮化鋁/不飽和聚酯導熱復合材料

碳纖維-AlN/聚醚醚酮復合材料

多形態(tài)AlN、Si_3N_4粉體

二氧化硅/氮化鋁/氮化硼(SiO2-AlN-BN)復合材料

氮化鋁(AlN)顆粒改性硅芳炔樹脂(PSA)

稀土銅改性氮化鋁納米復合材料(Cu/AlN)

聚四氟乙烯/納米氮化鋁(PTFE/AlN)復合材料

氮化鋁銅基復合材料AlNp/Cu

氮化鋁(AlN)/聚偏二氟乙烯(PVDF)納米復合材料

環(huán)氧樹脂/氮化鋁/多壁碳納米管(EP/AlN/MWCNTs)導熱復合材料

碳化硅(SiC)填充PA6導熱復合材料

氮化鋁(AlN)填充PA6導熱復合材料

聚全氟乙丙烯(FEP)/氮化鋁(AlN)復合材料

氮化鋁/碳化硅(AlN/SiC)復合陶瓷材料

AlN-Mo陶瓷基體復合材料

氮化鋁(AlN)顆粒鋁基復合材料(Al/AlN)

鈦酸鋁/氮化鋁(Al2TiO5-AlN)復合材料

氧化鎂/氮化鋁(MgO/AlN)復合材料

納米氮化鋁/納米鋁雙納米復合材料

氮化鋁/碳納米管復相陶瓷（AlN/CNTs）

氮化鋁顆粒鎂基復合材料

硼硅酸鹽玻璃/氮化鋁低溫共燒復合材料

氮化鋁的石墨基復合材料

納米氮化鋁/聚酰亞胺復合材料

球形氮化鋁硅橡膠復合材料

聚苯硫醚/氮化鋁/氧化鎂(PPS/AlN/MgO)導熱復合材料

氮化鋁(AlN)顆粒環(huán)氧樹脂基復合材料

AlNSiC、AlN-C、AlN-金屬幾種復相

AlN/ZnO@MgO/HPA/PA66復合材料

溫馨提示：西安齊岳生物科技有限公司供應(yīng)的產(chǎn)品用于科研，不能用于人體和其他商業(yè)用途axc,2021.08.26