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            島津攜手大連理工揭示高熵NbMoTaW合金薄膜熱穩(wěn)定性奧秘

            時間:2022-11-2 閱讀:549
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            【導讀】合金與金屬相比,除具有金屬的特性外,還具有許多比單組分金屬更優(yōu)良的物理、化學或機械性能,如硬度大、密度低、耐磨、耐腐蝕等,因而廣泛應用于人們的衣食住行以及航空、航天、機械制造、船舶等領域。合金的性能可以通過所添加的元素種類、含量以及合成條件等來加以調(diào)控。近期,大連理工大學李曉娜教授團隊通過射頻磁控濺射法制備了一系列 (NbMoTaW)100-xVx (x = 0 ~ 30.5, at%) 合金薄膜,探究了由弱焓相互作用元素V引起的局域結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變對NbMoTaW體系性能的影響,揭示了高熵合金薄膜的高穩(wěn)定性不僅源于元素本身的高熔點,而且與高無序程度和焓相互作用引起的微觀結(jié)構(gòu)波動有關(guān),有望在高溫、高硬度、耐磨損等條件下得到廣泛應用。

             

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            1 論文首頁

             

             

            該論文以Weak enthalpy-interaction-element-modulated NbMoTaW high-entropy alloy thin films"(弱焓相互作用元素調(diào)制的 NbMoTaW 高熵合金薄膜)為題發(fā)表于國際知名期刊《Applied Surface Science》。島津上海分析中心SPM(掃描探針顯微鏡)應用工程師劉仁威博士作為共同作者,使用島津SPM-9700HT完成了薄膜樣品表面電流的表征和分析工作。

             

            研究成果掠影

            目前,很多工作研究了合金的局域結(jié)構(gòu)與機械強度之間的關(guān)系,而干擾成分對局域結(jié)構(gòu)與合金熱穩(wěn)定性關(guān)系的研究卻很少。NbMoTaW難熔高熵合金具有單一的BCC結(jié)構(gòu),且組成元素具有較高的熔點,因而表現(xiàn)出良好的熱穩(wěn)定性,是研究局域結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性關(guān)系的理想材料。該論文通過添加不同含量的V元素,探究了高熵NbMoTaW薄膜具有較高熱穩(wěn)定的原因(見圖2)。

             

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            2 (a) BCC結(jié)構(gòu)示意圖,

            (b)NbMoTaW難熔高熵合金,N、M表示Nb、Ta、Mo、W的隨機分布,

            (c~d)(NbMoTaW)100-xVx薄膜團簇中加入V元素后的原子相互作用示意圖,

            (e)V的添加量對NbMoTaW薄膜力學性能影響,

            (f)當V含量為27.4%時,NbMoTaW薄膜的電流分布

             

            為了更加深入地理解合金成分-結(jié)構(gòu)-性能之間的關(guān)系,論文作者利用SPM建立了合金薄膜微結(jié)構(gòu)-導電性的關(guān)系,研究了(NbMoTaW)100-xVx的導電機理。文中采用島津SPM-9700HT的電流模式測試了NbMoTaW、(NbMoTaW)91.5V8.5、(NbMoTaW)72.6V27.4以及(NbMoTaW)69.5V30.5薄膜的表面形貌和電流分布(見圖3)。藍色和紅色代表薄膜表面的導電性差異,藍色區(qū)域?qū)щ娦暂^好,而紅色區(qū)域?qū)щ娦暂^差。由圖可以看出無V元素時,NbMoTaW薄膜電流分布有明顯起伏,藍色區(qū)域較多。而隨V元素的加入,薄膜表面電流起伏變化明顯減小,藍色區(qū)域明顯減小,當V含量達到30.5%時,藍色區(qū)域已經(jīng)很少。NbMoTaWV薄膜始終保持單一BCC結(jié)構(gòu),因此表面電流分布的變化與成分偏析密切相關(guān)。

             

            V元素的加入不僅降低了由成分偏析導致的電導率差異,而且改善了成分或電導率的均勻性,提高了電阻率,這與STEM成分分析和電阻率測量結(jié)果一致。此外,通過對三維表面高度圖和電流分布圖進行疊加,可以消除由于粗糙度引起的表面電流變化。

             

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            3 NbMoTaW, (NbMoTaW)91.5V8.5, (NbMoTaW)72.6V27.4以及 (NbMoTaW)69.5V30.5薄膜的三維高度圖(a1~a4),電流分布(b1~b4)以及將電流分布疊加到高度圖上的三維圖(c1~c4)

             

            島津SPM,您的科研好助手

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            李曉娜教授課題組合照

             

            論文第一作者畢林霞(前排左一)表示:“為了探究了由弱焓相互作用元素V引起的局部結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變對NbMoTaW體系的熱穩(wěn)定性的影響,我們制備了一系列 (NbMoTaW)100-xVx(x=0~30.5, at%)薄膜,并系統(tǒng)性地研究了其微觀結(jié)構(gòu)、力學性能以及電導率等。利用SPM表面電流模式,可以清晰地獲得薄膜微區(qū)導電性能分布,并建立了微結(jié)構(gòu)-導電性的關(guān)系,有助于我們深層次理解成分-結(jié)構(gòu)-性能之間的關(guān)系。本工作在島津公司上海分析中心劉仁威博士的幫助下進行,非常感謝島津分析中心提供的大力幫助,希望今后繼續(xù)合作。"

             


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