在高溫區(qū)(2000℃)將碳化硅SiC粉末升華，將碳化硅SiC氣體沿著溫度梯度輸送，在較冷的尾部碳化硅SiC籽品凝聚為晶體。
目前國(guó)際主流大規(guī)模應(yīng)用的晶體生長(zhǎng)方法，具有技術(shù)方案成熟、生長(zhǎng)過(guò)程簡(jiǎn)單、設(shè)備成本低等特點(diǎn)。技術(shù)難點(diǎn)主要為大尺寸襯底制備、缺陷水平控制及良率提升。
加熱模式
SiC PVT長(zhǎng)晶爐有電感加熱和電阻加熱加熱兩種加熱模式。
測(cè)溫方式
溫度一般需要控制2400℃上下，由于生產(chǎn)過(guò)程不可見(jiàn)，為保證晶體生長(zhǎng)品質(zhì)需要精確調(diào)控生長(zhǎng)溫度，有上測(cè)溫、下測(cè)溫、或上下測(cè)溫等多種形式，高溫計(jì)通過(guò)石英窗口、保溫層通孔測(cè)試坩堝底部或頂部的溫度。
SiC長(zhǎng)晶工藝溫度監(jiān)測(cè)方案
由于設(shè)備結(jié)構(gòu)限制，推薦使用帶有視頻瞄準(zhǔn)的高溫計(jì)；可以選用以下型號(hào)：
推薦一：
IMPAC ISR 6 ， 1000~3000℃ ，雙色，高溫，小光斑
推薦二：
IMPAC IGAR 6 Smart ，100~2550℃ ，雙色，寬量程，低高溫兼顧
推薦三：
IMPAC IGA 6 ，250~2550℃ ，單色，寬量程，低高溫兼顧
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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