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            表面刻痕可顯著降低太陽(yáng)能電池成本

            閱讀:192          發(fā)布時(shí)間:2013-5-16
            提 供 商 上海撫生實(shí)業(yè)有限公司 資料大小 117.7KB
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            表面刻痕可顯著降低太陽(yáng)能電池成本 
            蝕刻圖案能大幅降低太陽(yáng)能電池硅用量

              表面刻痕大大增加了光的吸收量

              高純度的硅占據(jù)了傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池陣列總成本的40%,因此研究人員長(zhǎng)久以來一直在尋找可zui大化太陽(yáng)能電池輸出功率,同時(shí)降低硅用量的途徑?,F(xiàn)在,麻省理工學(xué)院(MIT)的研究團(tuán)隊(duì)找到了一種可降低硅厚度的新途徑,可在保持電池的基礎(chǔ)上,zui高變薄90%,從而降低薄膜太陽(yáng)能電池的成本。相關(guān)研究報(bào)告發(fā)表在近期出版的《納米快報(bào)》雜志上。

              該校機(jī)械工程系的研究人員稱,這一途徑的秘密在于蝕刻在硅表面的微型倒金字塔圖案。他們使用了兩束重疊的激光束,以便在沉積于硅之上的光刻膠的表面生成特別的微小刻痕。經(jīng)過幾個(gè)中間步驟后,氫氧化鉀可溶解未被光刻膠覆蓋的表面部分,從而在材料表面產(chǎn)生希望獲得的金字塔圖案。這些微小的刻痕,每個(gè)都不足百萬(wàn)分之一米,卻能夠像厚度為自身30倍的固體硅表面一樣有效地捕獲光線。這種可有效提升薄膜太陽(yáng)能電池效能的新方法有望作用于任意的硅基電池。

              科學(xué)家表示,如果能夠大幅降低太陽(yáng)能電池中硅的用量,就能顯著降低電池的成本。但問題是,當(dāng)電池被打造得很薄時(shí),其吸收陽(yáng)光的能力將隨之降低。不過,新方法卻能克服這一問題。被研究小組稱為“倒轉(zhuǎn)納米金字塔”的表面刻痕,能大大增加光的吸收量,而表面面積只會(huì)增加70%,從而限制了表面復(fù)合現(xiàn)象的發(fā)生。表面復(fù)合是指半導(dǎo)體少數(shù)載流子在表面消失的現(xiàn)象。半導(dǎo)體表面具有很強(qiáng)的復(fù)合少數(shù)載流子的作用,同時(shí)也使得半導(dǎo)體表面對(duì)外界的因素很敏感,這也是造成半導(dǎo)體器件性能受到表面影響很大的根本原因。

              基于新方法獲得的10微米厚晶體硅能夠達(dá)到和30倍厚的傳統(tǒng)硅片近似的光吸收量。這不僅能夠減少太陽(yáng)能電池中昂貴的高純度硅用量,還能減輕電池的重量,并因此節(jié)約所需的電池用料,有效降低薄膜太陽(yáng)能電池的材料成本和安裝成本。此外,新技術(shù)所使用的設(shè)備和材料也是現(xiàn)有硅芯片處理標(biāo)準(zhǔn)零件,因此無(wú)需更新設(shè)備,從而使的難度大幅降低,更加便于實(shí)施和操作。

              迄今為止,研究團(tuán)隊(duì)只進(jìn)行了新型太陽(yáng)能電池的*步,即基于硅片了具有圖案的表面,并借助俘獲的光線證實(shí)了它的效能提升,下一步則需要增加組件以真實(shí)的光伏電池,并證明它的能效可與傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池相媲美?,F(xiàn)今*的商用硅基太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率為24%,而科學(xué)家期望新途徑能夠?qū)崿F(xiàn)約為20%的能量轉(zhuǎn)換效率,但這仍需進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行檢驗(yàn)。如果一切順利,新系統(tǒng)可在不遠(yuǎn)的未來實(shí)現(xiàn)商用化,出更經(jīng)濟(jì)的薄膜太陽(yáng)能電池,而超薄的設(shè)計(jì)也將使其應(yīng)用范圍更加廣泛。

             

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