化工儀器網(wǎng)
資料下載
撫生試劑-中科院微電子所采用ALD技術(shù)顯著提升發(fā)光器件效率
閱讀：220 發(fā)布時間：2014-1-3| 提 供 商 | 上海撫生實業(yè)有限公司 | 資料大小 | 8.8KB |
|---|---|---|---|
| 資料圖片 | 下載次數(shù) | 47次 | |
| 資料類型 | JPG 圖片 | 瀏覽次數(shù) | 220次 |
| 免費下載 | 點擊下載 |
中科院微電子所采用ALD技術(shù)顯著提升發(fā)光器件效率
日前，中國科學院微電子研究所將先進的原子層沉積技術(shù)應用于高光效半導體發(fā)光器件的研究取得顯著進展。
上世紀80年代，原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)zui初由芬蘭科學家提出并應用于平板顯示器件中Al2O3絕緣膜的沉積。2007年英特爾公司將原子層沉積技術(shù)引入45納米節(jié)點及以后的集成電路工藝，由于其沉積參數(shù)的高度可控性(厚度，成份和結(jié)構(gòu))，優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微電子領域獲得了廣泛的應用。
中國科學院微電子所四室劉洪剛研究員針對工業(yè)界常用的電子束方法制備分布式布拉格反射鏡(DBR)存在厚度不均勻、效率低等缺點，提出采用原子層沉積技術(shù)研制高性能分布式布拉格反射鏡(DBR)的設想以提升半導體發(fā)光器件的光提取效率，他帶領的科研團隊通過開展ALD-DBR的材料篩選、結(jié)構(gòu)設計、沉積工藝、光學測量等方面的系統(tǒng)研究，研制出適于ALD大規(guī)模的Al2O3/TiO2新型DBR結(jié)構(gòu)并成功應用于高光效氮化鎵基發(fā)光二極管(GaN LED)的，使GaN LED的光輸出功率提高43%以上。