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2dsemiconductors Ta2NiS5 晶體簡(jiǎn)介

時(shí)間：2022-6-7閱讀：1519

2dsemiconductors Ta2NiS5 晶體簡(jiǎn)介

2D 激子絕緣體

激子絕緣體是表現(xiàn)出相關(guān)電子相的新型材料系統(tǒng)。當(dāng)激子結(jié)合能 (Eb) 大于帶隙 (Eg) 時(shí)，激子會(huì)凝聚到其基態(tài)。半導(dǎo)體中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發(fā)生，而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發(fā)生。正交傳導(dǎo)（電子）和價(jià)（空穴）帶之間的庫(kù)侖引力引起的自發(fā)帶雜化打開帶隙并驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)入絕緣狀態(tài)

Ta2NiS5 晶體

貨號(hào)： BLK-Ta2NiS5

分子式： Ta2NiS5

Ta2NiS5 晶體

Ta2NiS5 是一種窄帶隙半導(dǎo)體 (Eg~0.39 eV)，具有可疑的激子絕緣體行為，如在其姊妹化合物TA2NISE5中觀察到的。激子絕緣體是表現(xiàn)出相關(guān)電子相的新型材料系統(tǒng)。當(dāng)激子結(jié)合能 (Eb) 大于帶隙 (Eg) 時(shí)，激子會(huì)凝聚到其基態(tài)。半導(dǎo)體中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發(fā)生，而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發(fā)生。正交傳導(dǎo)（電子）和價(jià)（空穴）帶之間的庫(kù)侖引力引起的自發(fā)帶雜化打開帶隙并驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)入絕緣狀態(tài)

Ta2NiS5 晶體的性質(zhì)