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            深圳市鵬錦科技有限公司>>電子元器件>>FMD電源IC>>FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝

            FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝

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            • FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝

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            更新時間:2024-11-29 15:53:51瀏覽次數(shù):1951

            聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!

            產(chǎn)品簡介

            FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝


            FT838MBD五星能效5V2A充電器IC

            FT838MBD 10W充電器方案

            五能效充電器適配器主控芯片F(xiàn)T838MBD

            應(yīng)用:充電器

            功率:5V/2A

            詳細(xì)介紹

            FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝

            FT838MBD_5V2A充電器方案內(nèi)置MOS,DIP8封裝

            FT838MBD五星能效5V2A充電器IC

            FT838MBD 10W充電器方案

            五能效充電器適配器主控芯片F(xiàn)T838MBD

            應(yīng)用:充電器

            功率:5V/2A

            輸入電壓范圍:90~264V

            輸出電壓/電流:5V/2A

            尺寸:45.3*36.9mm

            典型效率:79%

            EMI:Pass

            空載待機(jī)功耗:<120mw

            zui大輸出紋波:&lt;80mvp-p

            方案名稱:FT838MBD_5V/2A

            產(chǎn)品優(yōu)勢:

            1. 高效率>=78.7% @115V/230V

            2. 低待機(jī)功耗&lt;120mw

            3. 輸出紋波噪音低&lt;80mv

            4. 內(nèi)置MOS,DIP8封裝,IC溫升低,外圍元件少,成本低

            5. 在五星能效標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上有充足的效率余量。

            深圳代理(索取更多方案資料技術(shù)及樣品提供)

            聯(lián) 系 人 :孫蘭

            地  址 : 深圳市福田區(qū)振華路47號家樂大廈四樓B3

            電  話:/      

            企 業(yè) 2850187696

            特色概述

             電壓輸入范圍(90Vac~264Vac)

             高效率

             Efficiency &ge; 78.65% @115Vac/230Vac

             低待機(jī)功耗

             &lt; 120mW

             輸出紋波噪音低

             &lt;80mV

             輸出短路保護(hù)

             輸出過流保護(hù)

             的容性負(fù)載啟機(jī)特性

             在5 能效標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)上有充足的效率余量

             內(nèi)置功率MOS,DIP-8 封裝,IC 溫升低;外圍元件簡潔,成本低。

             

            1 簡介

            FT838MBD_5V 2.0A 是款寬電壓輸入(90Vac~264Vac),具有高效率,高性價比

            的充電器適配器方案。

             

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